メモリ・テスト・システム
DDR5、LPDDR5を試験可能なテスト・システム
モバイル機器、データセンタ、自動車、ゲーム機器、グラフィックカードなど幅広い用途での成長著しいメモリ需要に応えるため、半導体メーカ各社はDDR5やLPDDR5といった高速でデータ転送可能なシンクロナスDRAMを開発しています。「T5503HS2」はこれらの高速DRAMを試験するために開発されました。
T5503HS2は、DDR5やLPDDR5といった高速メモリの量産試験が可能なテスト・システムです。最高9 Gbpsの試験速度、±45 ピコ秒の総合タイミング精度、16,256チャンネルの試験ピンにより、業界最高クラスの同時測定効率とコスト効率を提供します。オプションの4.5
GHz高速クロックを使用することで、データレート9 Gbpsを上回るメモリ半導体にも対応可能です。
高速化・多機能化が進む次世代DRAMデバイス試験において特に重要となる、DQS-DQ（クロック信号とデータ信号）の自動タイミング補正や、デバイス電源の高速応答性能を備えています。さらに、高性能アルゴリズミック・パターン発生器（ALPG）により、これまで以上に複雑に進化したDRAMの機能試験を高速、高品質に実現します。また、従来品の「T5503HS」をシームレスに、かつ経済的なコストで「T5503HS2」にアップグレード可能です。
