NANDフラッシュ等不揮発性メモリ市場をターゲットとした3つの新製品を発表

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株式会社アドバンテスト(本社:東京都千代田区 社長:吉田芳明、以下「当社」)は、NANDフラッシュを含む不揮発性メモリ・デバイスのテスト・コストと設備所有コストを削減可能な3つの新製品を発表しました。各製品の詳細は以下の通りです。

ウェーハ・テスト用メモリ・テスト・システム「T5230」

「T5230」は、NANDフラッシュを含む不揮発性メモリ・デバイス向けのテスト・システムです。あらゆるテスト・セル形状に対応するコンバインド・アレイ・アーキテクチャを採用し、ウェーハ・レベル・バーンイン(WLBI)テストやビルトイン・セルフ・テスト(BIST)といったウェーハ・テストにおいて、非常に高いコスト効率を実現します。テストヘッド1台あたりウェーハ上の最大1,024個のデバイスを同時測定可能な高い生産性に加え、フロア・スペースを最大86%削減します。システム・コントローラには複数のテスト・セルが接続されており、各テスト・セルは独立したウェーハ・テストが可能です。テスト・セルは一般的なシングル・ウェーハ・プローバへの接続をはじめ、複数のテスト・セルを1台のマルチ・ウェーハ・プローバに接続することもでき、フロア・スペースを最小化します。最大テスト・レート125MHz/250Mbpsのファンクション・テストにおいて、T5230は高度なタイミング精度、再現性、故障検出能力を保証します。

メモリ・テスト・システム「T5230」

メモリ・テスト・システム「T5851」用の第3世代プロトコルNAND向けシステム・レベル・テスト・モジュール「T5851-STM32G」

「T5851-STM32G」は、最大32Gbpsの高速システム・レベル・テストで、「UFS4.0」規格のUFS(コントローラを内蔵したNANDフラッシュメモリ)や、「PCIe Gen 5」対応のBGA*タイプの最新世代の高速プロトコルNANDフラッシュメモリをカバーします。既存の「T5851」と完全な互換性を持ちアップグレード可能なこのモジュールを用いることで、DUT(被試験デバイス)毎個別にテストを実施することができ、量産をはじめ認定、信頼性、特性評価に適しています。

  • *BGA:Ball Grid Array(球形の電極を格子状に配置した半導体パッケージ)
メモリ・テスト・システム「T5851」および「T5851-STM32G」

「T5835」向け高速ウェーハ・ソート・インタフェース・オプション

多機能メモリ・テスト・システム「T5835」のオプションとして開発された高速ウェーハ・テスト用インタフェースは、高速NANDフラッシュおよび不揮発性メモリのウェーハ・テスト向けインタフェースです。4096のI/Oチャネルに最大5.4Gbpsのスピードでウェーハ・プロービングを行うことが可能です。ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)に用いられるNANDフラッシュのデバイスにはますます高速な機能が要求され、パッケージ・レベルでのファイナル・テストだけでなく、ウェーハ工程でのダイ性能の評価とテストが必要とされています。この新オプションは、高速ウェーハ・プロービング・テストを可能にし、テスト・カバレッジを広げT5835の価値を一層高めます。

メモリ・テスト・システム「T5835」

当社 執行役員 メモリテスト事業本部長 鈴木 雅之 コメント

大容量ストレージが不揮発性メモリ市場の成長を牽引しており、市場規模は2032年までに1670億米ドルに達すると予測されています。NANDフラッシュや不揮発性メモリのメーカー各社は、高速かつ信頼性が高いソリューションを、テスト・コストを押し上げることなく実現することを求めています。今回3つの新製品がポートフォリオに加わることで、当社は顧客が厳しい市場要求に応えていくために不可欠なテスト戦略をサポートします。

なお、当社は上記3つの新製品を、12月13日~15日に東京ビッグサイトで開催される「SEMICON Japan 2023」に出展いたします。
(ブース番号:1648)

アドバンテストについて

アドバンテストは、計測技術をコアテクノロジーとするテスト・ソリューションカンパニーです。1954年の創業以来、エレクトロニクスの発展とともに成長し、人びとの暮らしの「安全・安心・心地よい」をサポートしてきました。主力製品となる半導体試験装置は世界最大手であり、当社の海外売上高比率は9割を超えています。アドバンテストは、「先端技術を先端で支える」という企業理念のもと、進展著しいデジタル社会のインフラストラクチャーである半導体の品質や信頼性の向上を通じて、社会の持続可能な発展に寄与しています。詳しくは当社ウェブサイト(www.advantest.com/ja/)をご参照ください。

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